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Parallelschaltung
In einer Parallelschaltung von MOS-Transistoren mit gleicher Einschaltspan-
nung U
T
addieren sich die Drain-Ströme. Die Gate-Source-Spannungen, die
Drain-Source-Spannungen und auch alle anderen spannungsabhängigen Ter-
me in den Gleichungen 4.12 und 4.13 sind gleich. Eine Parallelschaltung von
zwei eingeschalteten MOS-Transistoren verhält sich entsprechend wie ein Ein-
zeltransistor mit einem Ersatzparameter (Abb. 4.34)
Ers
=
1
+
2
(4.27)
Der Ersatztransistor hat die relative Transistorbreite
b
Ers
= b
1
+ b
2
(4.28)
Parallelschaltung
funktionsgleicheErsatzschaltung
D
i
D
=(β
1
+β
2
)
·
f(u
GS
,u
DS
)
i
D1
=β
1
·
f(u
GS
,u
DS
)
i
D2
=β
2
·
f(u
GS
,u
DS
)
D
i
D
=β
Ers
·
f(u
GS
,u
DS
)
G
G
u
DS
u
GS
u
DS
S
u
GS
S
Abb. 4.34. Ersatzschaltung für zwei eingeschaltete parallele MOS-Transistoren
Reihenschaltung
Bei der Reihenschaltung addieren sich die Kanallängen. Die resultierende
Stromgleichung lässt sich über eine physikalische Betrachtung herleiten. In
Reihe geschaltete Transistoren sind räumlich durch ein gut leitendes hochdo-
tiertes Gebiet, das für den einen Transistor den Drain- und für den anderen
Transistor den Source-Anschluss darstellt, und optional durch Leiterbahnen
getrennt. Der Spannungsabfall über diesen Verbindungen kann vernachlässigt
werden, so dass sich elektrisch kein Unterschied ergibt, wenn beide eingeschal-
teten Kanäle gedanklich direkt hintereinander angeordnet werden (Abb. 4.35).
Wenn die Transistoren gleich breit sind
w
1
= w
2
verhält sich der Gesamttransistor wie ein Transistor, dessen Kanallänge gleich
der Summe der Einzelkanallängen ist:
