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1.8
..
Bandlucke W(eV)
Abb. 6.18
Die Abhängigkeit des theoretischen Wirkungsgrads einer Fotodiode von der Bandlücke
Δ
W
des Halbleitermaterials. Die Größe der Bandlücke für einige Halbleiter ist ebenfalls gezeigt (c-Si
= kristallines Silizium, a-Si = amorphes Silizium).
Oben rechts
ist ungefähr die Lage des sichtbaren
Spektralbereichs gezeigt, das Maximum des Wirkungsgrad liegt also im Infraroten
erreicht seinen maximalen Wert von
η
F
≈
Δ
W
optimium
. Der maximal mögli-
che Wirkungsgrad ist im Wesentlichen bestimmt durch den Füllfaktor, aber er ist kleiner
als
c
f
aus folgenden Gründen:
, für Δ
W
=
1.
Die Dicke
l
der Sperrzone ist zu klein, so dass nicht alle auf
A
F
einfallenden Photonen
2.
Die Photonenenergie ist zu klein,
hν
Δ
W
, so dass keine Elektron-Loch-Paareerzeugt
werden, sondern die Fotodiode nur erwärmt wird.
3.
Die Photonenenergie ist zu groß,
hν
<
Δ
W
, so dass die Elektron-Loch-Paare ihre
überschüssige kinetische Energie in thermische Energie umsetzen: Die Fotodiode wird
erwärmt.
4.
DieElektron-Loch-Paarerekombinieren,bevorsiedurchdaselektrischeFeldvoneinan-
der getrennt sind. Dieser Verlustmechanismus hängt von den Halbleitereigenschaten
ab, auch er führt zur Erwärmung der Fotodiode.
5.
Die Erwärmung der Fotodiode reduziert die maximal mögliche Fotospannung
U
F,
=
−
>
Δ
W
/
Diese Phänomene sind dafür verantwortlich, dass der in Abb.
6.18
gezeigte
Wirkungs-
grad
nur etwa halb so groß ist, wie Bandlücke und Füllfaktor allein erwarten ließen, näm-
lich
η
Wd
≈ ,. Deutschland allerdings ist bei der Nutzung der Fotovoltaik benachteiligt,
denn:
Der Kapazitätsfaktor für die Fotovoltaik in
Deutschland
beträgt
κ
≈ ,, so dass sich
hier der Nutzungsgrad dieser Form der erneuerbaren Energien zu
ζ
Wd
≈ ,ergibt,
welche im Jahr 2010 nur 0,1 % des Primärenergiebedarfs lieferte.