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ge haben und die zu schreibenden Daten müssen hinreichend lange vor der
Deaktivierung des Schreibsignals stabil und gültig sein (Abb. 4.63). Bei einer
Verletzung der Zeitbedingungen werden ungültige Werte gespeichert.
Lesen Lesen Schreiben
Schreiben
a
LA
1
LA
2
SA
1
SA
2
a
Adresssignal
t
sa
t
na
t
wr
x
Eingangsdaten
Schreibsignal
W
W
t
sx
t
nx
y
Ausgabedaten
x
X
1
X
2
t
hy
Lesehaltezeit
t
dy
Leseverz¨ogerungszeit
t
dy
t
hy
t
sa
Adressvorhaltezeit
y
Y
1
Y
2
t
na
Adressnachhaltezeit
t
sx
Datenvorhaltezeit
LA
i
Leseadresse
SA
i
Schreibadresse
Y
i
X
i
gelesenerWert
zuschreibenderWert
t
nx
Datennachhaltezeit
t
wr
Schreibzeit
Abb. 4.63. Signalverläufe zum Lesen und Schreiben für die SRAM-Kernfunktion
Simulationsmodell für einen Speicherschaltkreis
Große Blockspeicher sind oft eigenständige Schaltkreise. In diesem Abschnitt
wird ein vereinfachtes Simulationsmodell für einen asynchronen SRAM-Schalt-
kreis entwickelt. Ziel ist die Vermittlung eines skizzenhaften Einblicks in diese
Art der Modellbildung und die Entwicklung eines Beispielmodells für den dar-
auf folgenden Unterabschnitt.
Der Beispielschaltkreis ist ein IS61LV25616AL [8]. Er hat achtzehn Adress-
eingänge, sechzehn bidirektionale Datenanschlüsse, eine Speicherkapazität von
vier Megabit und eine Zugriffszeit von 10 ns. Die Operationsauswahl soll aus-
schließlich über die drei Steuersignale
• Ausgabeaktivierung: oe (output enable, low-aktiv),
• Schreibaktivierung: wr (write, low-aktiv) und
• Schaltkreisauswahl: cs (chip select, low-aktiv)
erfolgen. Die hier nicht berücksichtigten Byte-Auswahlsignale seien ständig
aktiv. Die bidirektionalen Datenanschlüsse bilden einen Bus, über den bei
einem Schreibzugriff die zu schreibenden Daten zum Schaltkreis geschickt und
bei einem Lesezugriff die gelesenen Daten abgeholt werden.
Intern hat der Speicherschaltkreis, ohne dass das explizit im Datenblatt
steht, eine Matrixstruktur wie in Abb. 4.61, die in eine Schnittstellenschal-
tung eingebettet ist. Letztere erzeugt aus den im Datenblatt beschriebenen
Anschlusssignalverläufen die Signalverläufe für die Kernfunktion. Mit diesem
Hintergrundwissen kann das Simulationsmodell aus dem bereits behandelten
Simulationsmodell für die Kernfunktion und einem noch zu entwickelnden
