Chemistry Reference
In-Depth Information
6. H. Mattoussi, L. H. Radzilowski, B. O. Dabbousi, E. L. Thomas,
M. G. Bawendi and M. F. Rubner,
J. Appl. Phys.,
1998, 83, 7965.
7. V. L. Colvin, A. P. Alivisatos and J. G. Tobin,
Phys. Rev. Lett.,
1991, 66,
2786.
8. H. Fu and A. Zunger,
Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys.,
1997, 56,
1496.
9. S.-H. Kim, G. Markovich, S. Rezvani, S. H. Choi, K. L. Wang and
J. R. Heath,
Appl. Phys. Lett.,
1999, 74, 317.
10. M. Green,
Small,
2005, 1, 684.
11. J. Li, D. Li, J. Li, J. Hu, M. Wang, J. Tang and J. Li, unpublished results.
12. H. Weller, U. Koch, M. Gutierrez and A. Henglein,
Ber. Bunsenges. Phys.
Chem.,
1984, 88, 649.
13. L. Spanhel, M. Haase, H. Weller and A. Henglein,
J. Am. Chem. Soc.,
1987,
109, 5649.
14. A. Eychm
d
n
1
y
4
n
g
|
3
uller, A. Hasselbarth and H. Weller,
J. Lumin.,
1992, 53, 113.
}
15. A. Eychm
uller, A. Mews and H. Weller,
Chem. Phys. Lett.,
1993, 208, 59.
16. A. Mews, A. Eychm
}
uller, M. Giersig, D. Schooss and H. Weller,
J. Phys.
Chem.,
1994, 98, 934.
17. D. Schooss, A. Mews, A. Eychm
}
uller and H. Weller,
Phys. Rev. B: Condens.
Matter Mater. Phys.,
1994, 49, 17072.
18. A. Hasselbarth, A. Eychm
}
uller, R. Eichberger, M. Giersig, A. Mews and
H. Weller,
J. Phys. Chem.,
1993, 97, 5333.
19. A. Mews and A. Eychm
}
uller,
Ber. Bunsenges. Phys. Chem.,
1998, 102, 1343.
20. A. R. Kortan, R. Hull, R. L. Opila, M. G. Bawendi, M. L. Steigerwald,
P. J. Carroll and L. E. Brus,
J. Am. Chem. Soc.,
1990, 112, 1327.
21. C. F. Hoener, K. A. Allan, A. J. Bard, A. Campion, M. A. Fox, T. E. Mallouk,
S. E. Webber and J. M. White,
J. Phys. Chem.,
1992, 96, 3812.
22. J. E. Bowen Katari, V. L. Colvin and A. P. Alivisatos,
J. Phys. Chem.,
1994,
98, 4109.
23. M. Danek, K. F. Jensen, C. B. Murray and M. G. Bawendi,
J. Cryst. Growth,
1994, 145, 714.
24. M. Danek, K. F. Jensen, C. B. Murray and M. G. Bawendi,
Appl. Phys. Lett.,
1994, 65, 2795.
25. M. Danek, K. F. Jensen, C. B. Murray and M. G. Bawendi,
Chem. Mater.,
1996, 8, 173.
26. J. R. Heine, J. Rodriguez-Viejo, M. G. Bawendi and K. F. Jensen,
J. Cryst.
Growth,
1998, 195, 564.
27. M. A. Hines and P. Guyot-Sionnest,
J. Phys. Chem.,
1996, 100, 468.
28. B. O. Dabbousi, J. Rodriguez-Viejo, F. V. Mikulec, J. R. Heine,
H. Mattoussi, R. Ober, K. F. Jensen and M. G. Bawendi,
J. Phys. Chem.
B,
1997, 101, 9463.
29. It is worth, at this point, commenting on the concept of a monolayer.
A unit cell of a shell material is essentially two layers of
semiconductor, and therefore half of the
c
-lattice parameter (for
wurtzite structures) is used as the thickness of a given monolayer.
Therefore a layer of both cations and anions is required to increase
}
.
Search WWH ::
Custom Search