Hardware Reference
In-Depth Information
Zeilenleitung (Select)
Spalten-
leitung
(Bit)
Abbildung 7.1.
Zwei ROM-Speicherzellen: links mit elektrischer Verbindung von Zeilen-
und Spaltenleitung, rechts ohne
Zeilenleitung (Select)
Spalten-
leitung
(Bit)
Masse
Abbildung 7.2.
Aufbau einer dynamischen Speicherzelle (DRAM) aus einem Transistor
und einem Kondensator
tenleitung auf. Mit dieser Technik lassen sich auch einmalig programmierbare
Festwertspeicher realisieren, so genanntes
Programmable ROM
(PROM). Bei
der Fertigung sind zunachst alle Dioden vorhanden. Es konnen Dioden durch
Anlegen einer sehr hohen Spannung gezielt zerstort werden. Eine Umpro-
grammierung ist danach nicht mehr moglich.
Ferner gibt es Festwertspeicher, die sich durch Bestrahlung mit UV-Strahlen
wieder loschen lassen. Die gangigsten wiederbeschreibbaren Festwertspeicher
sind derzeit so genannte
Flash-ROM-
Bausteine. Diese konnen elektrisch ge-
loscht und neu beschrieben werden. Allerdings ist dieser Speicher relativ lang-
sam und lasst sich nur maximal eine Million Mal neu beschreiben. Daher lasst
sich dieser Speicher nicht als Hauptspeicher einsetzen.
7.1.2 Dynamisches und statisches RAM
Es gibt zwei Arten von RAM: dynamisches und statisches (kurz DRAM und
SRAM). Dynamische Speicherzellen enthalten lediglich einen Transistor und
einen Kondensator, wie in Abbildung 7.2 dargestellt. Der Zustand der Spei-
cherzelle wird durch die Ladung dieses Kondensators beschrieben (z.B. Kon-
densator geladen
.
=1,entladen = 0). Beim Auslesen der Zelle geht die La-
dung verloren. Die Zelle muss also anschließend wieder aufgeladen werden
(destruktives Lesen).
