La fonction de mémorisation - Architecture des Machines et des Systemes Informatiques - page 179

donne une sortie à 0. L'état du bit est donc conservé. La caractéristique de tels
circuits est de garder la mémorisation aussi longtemps que l'alimentation élec-
trique est maintenue. Les mémoires SRAM sont conçues à partir de circuits de
cette nature ;
- d'une association d'un transistor et d'un petit condensateur. Si le condensateur
présente une charge électrique, alors la valeur codée du bit vaut 1 sinon elle vaut 0.
Malheureusement les condensateurs ne gardent pas une charge constante, elle
diminue avec le temps, il est donc nécessaire de rafraîchir ce circuit pour main-
tenir le bit à une valeur stable. Cette caractéristique complexifie la réalisation de
telles mémoires. Cependant un bit ne nécessite ici qu'un transistor pour sa réalisa-
tion alors qu'il en faut plusieurs pour réaliser une bascule, d'où une beaucoup plus
grande densité d'intégration. Les mémoires DRAM sont réalisées à partir de tels
circuits. Leur défaut essentiel est le temps d'accès qui est important.
Dans nos ordinateurs nous trouvons donc les deux types de mémoires, SRAM plutôt
pour les mémoires caches, et DRAM plutôt pour les mémoires centrales.
La figure 8.9 est une illustration de la réalisation d'une mémoire à partir de
bascules D. On y trouve les bascules supportant les bits, les circuits de décodage
d'adresses, de sélection d'un mot mémoire, d'échanges et les barrières d'entrée et de

C
0
1
1

E S

Dec
0
1

E S

Barrière
d'entrée

0
1

C

E
C

S

Décodeur

0 1

0 1 1

0 1 1

Bus d'adresses

Sélection boîtier. CS = 1

Barrière
de sortie

Écriture 1

Commande : Lecture/Écriture

Figure 8.9

Réalisation d'une mémoire à partir de bascules D.