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Lorsqu'une tension nulle ou négative est appliquée à la grille, les électrons sont
chassés de la surface du substrat ce qui isole électriquement la source et le drain : le
transistor est bloqué. Au contraire, lorsqu'une tension positive est appliquée à la
grille, les électrons du substrat viennent s'accumuler à la surface, réalisant un canal
d'électrons entre la source et le drain : le transistor est devenu passant.
La technologie MOS consomme moins de courant que la technologie TTL, mais
elle est plus lente que cette dernière. Cette technologie est elle-même divisée en trois
familles :
- la technologie PMOS qui ne met en jeu que des transistors MOS à canal P ;
- la technologie NMOS qui ne met en jeu que des transistors MOS à canal N, plus
rapide que la précédente ;
- la technologie CMOS qui ne met en jeu à la fois des transistors MOS à canal P et
des transistors MOS à canal N. Les circuits résultants sont peu gourmands en
électricité. C'est la technologie la plus utilisée à l'heure actuelle.
Un exemple : réalisation d'une porte inverseur
Considérons le circuit de la figure 5.17. Dans ce montage, le transistor MOS est chargé,
par le drain, avec une impédance de
+
5 volts 1 . La source est par ailleurs reliée à la
masse (0 volt).
+ 5 V
Charge
Sortie
Grille G
Drain D
Commande
0 V ou + 5 V
Source S
Masse 0 V
Figure 5.17
Transistor unipolaire et porte inverseur.
Une tension nulle est appliquée à la grille : le transistor est donc bloqué. Il se
comporte comme un circuit ouvert. En conséquence, la tension sur la porte de sortie
est celle de l'impédance de charge, soit
+
5volts.
5 volts est maintenant appliquée à la grille : le transistor devient
passant. Il se comporte comme un court-circuit. En conséquence, la tension sur la
porte de sortie est celle de la masse, soit
Une tension de
+
0 volt.
On voit donc ici que ce montage équivaut à une porte inverseur.
+
1. Sur les processeurs pentium, la tension d'alimentation des transistors est ramenée à 3,3 volts.
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