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Abb. 6.19
Die Spannungspo-
lung an einer Halbleiterdiode
in Sperrrichtung (
a
)undin
Durchlassrichtung (
b
). In
Sperrrichtung fließt nur der
minimale Dunkelstrom
I
,des-
sen Stärke temperaturabhängig
ist
a
b
−
+
+
−
0
p−
dotiert
n−
dotiert
p−
dotiert
n−
dotiert
Sperrrichtung
Durchlassrichtung
U < 0
U > 0
6.3.1 P-Ebene: Die Eigenschaften einer Fotodiode
Grundlage für die Fotovoltaik ist die mit Licht bestrahlte Halbleiterdiode. Auf ihre physi-
kalischen Eigenschaten wollen wir kurz eingehen.
Die Halbleiterdiode als Fotodiode
Die
Halbleiterdiode
hat die Eigenschat, dass im Prinzip ein elektrischer Strom nur fließt,
wenn die Spannung
U
mit der richtigen Polarität, das heißt
U
, an die Diodegelegt wird,
richtung gepolt, so werden die aus dem n-dotierten Material in das p-dotierte Material
dritenden Elektronen kontinuierlich aus dem negativen Pol der Spannungsquelle ersetzt
und von dem positiven Pol der Spannungsquelle entfernt. Bei Vertauschung der Polari-
tät ist das nicht möglich: Nachdem einige Elektronen vom n-dotierten in den p-dotierten
Bereich gedritet sind, wird der Stromfluss unterbrochen, weil die aus dem n-dotierten Be-
reich abgewanderten Elektronen nicht ersetzt werden.
Natürlich fließt auch für
U
>
ein sehr kleiner Strom, der
Sperrstrom
I
,durchdie
Diode, der von Elektron-Loch-Paaren stammt, die in der Sperrzone bei der Temperatur
T
thermisch erzeugt werden. Der Sperrstrom ist daher temperaturabhängig
<
Δ
W
kT
)
I
=
I
,max
exp
(−
.
(6.47)
Obwohl
I
sehr klein ist, ist
I
,max
sehr groß, denn der exponentielle Faktor ist für Δ
W
=
eV bei Zimmertemperatur
T
von der Größenordnung
Δ
W
kT
)≈
−
.
exp
(−
(6.48)
Die Anzahl der in der Sperrzone gebildeten Elektron-Loch-Paare wird aber dramatisch
erhöht, wenn die Sperrzone beleuchtet wird und die Paare durch die Absorption des Lichts
entstehen.
Die
Strom-Spannungs-Kennlinie
einer Halbleiterdiode ohne und mit Beleuchtung
sieht schematisch so aus, wie es in der Abb.
6.20
gezeigt ist. Dabei ist die Kennlinie bewusst